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VS-SD303C08S10C

VS-SD303C08S10C

僅供參考

型號 VS-SD303C08S10C
PNEDA編號 VS-SD303C08S10C
描述 DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD303C08S10C資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD303C08S10C
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-SD303C08S10C規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)350A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.26V @ 1100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1µs
當前-反向泄漏@ Vr35mA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Clamp On
包裝/箱DO-200AA, A-PUK
供應商設備包裝DO-200AA, A-PUK
工作溫度-結點-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

320ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

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-

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