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W25M02GVTBIT TR

W25M02GVTBIT TR

僅供參考

型號 W25M02GVTBIT TR
PNEDA編號 W25M02GVTBIT-TR
描述 IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W25M02GVTBIT TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W25M02GVTBIT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W25M02GVTBIT TR, W25M02GVTBIT TR數據表 (總頁數: 71, 大小: 1,084.11 KB)
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W25M02GVTBIT TR規格

制造商Winbond Electronics
系列SpiFlash®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁700µs
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TFBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-VBGA

供應商設備包裝

24-FBGA (6x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

115ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-DIP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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