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W25Q512JVEIQ TR

W25Q512JVEIQ TR

僅供參考

型號 W25Q512JVEIQ TR
PNEDA編號 W25Q512JVEIQ-TR
描述 SPIFLASH, 512M-BIT, 4KB UNIFORM
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W25Q512JVEIQ TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W25Q512JVEIQ TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W25Q512JVEIQ TR, W25Q512JVEIQ TR數據表 (總頁數: 92, 大小: 1,765.1 KB)
PDFW25Q512JVBIM TR數據表 封面
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W25Q512JVEIQ TR規格

制造商Winbond Electronics
系列SpiFlash®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (8x6)

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內存類型

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內存格式

FLASH

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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