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W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

僅供參考

型號 W987D2HBJX6E
PNEDA編號 W987D2HBJX6E
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W987D2HBJX6E資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W987D2HBJX6E
類別半導體內存IC內存
數據表
W987D2HBJX6E, W987D2HBJX6E數據表 (總頁數: 68, 大小: 1,470.3 KB)
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W987D2HBJX6E規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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200MHz

寫周期-字,頁

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1.7V ~ 1.95V

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