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ZVNL110ASTOB

ZVNL110ASTOB

僅供參考

型號 ZVNL110ASTOB
PNEDA編號 ZVNL110ASTOB
描述 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZVNL110ASTOB資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZVNL110ASTOB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZVNL110ASTOB, ZVNL110ASTOB數據表 (總頁數: 1, 大小: 27.83 KB)
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ZVNL110ASTOB規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)320mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱E-Line-3

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Infineon Technologies

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HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2417pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

87W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1224pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.3mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

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15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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