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ZXM64P02XTC

ZXM64P02XTC

僅供參考

型號 ZXM64P02XTC
PNEDA編號 ZXM64P02XTC
描述 MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXM64P02XTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXM64P02XTC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZXM64P02XTC, ZXM64P02XTC數據表 (總頁數: 7, 大小: 328.61 KB)
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ZXM64P02XTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.9nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-MSOP
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

278mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

787pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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AON6758

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1975pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

4.1W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.5A (Ta), 116A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 32V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

1130W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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