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ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

僅供參考

型號 ZXMN3A03E6TC
PNEDA編號 ZXMN3A03E6TC
描述 MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3A03E6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3A03E6TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZXMN3A03E6TC, ZXMN3A03E6TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,237.5 KB)
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ZXMN3A03E6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-6
包裝/箱SOT-23-6

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 110µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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