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ZXMP6A16DN8TC

ZXMP6A16DN8TC

僅供參考

型號 ZXMP6A16DN8TC
PNEDA編號 ZXMP6A16DN8TC
描述 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMP6A16DN8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMP6A16DN8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMP6A16DN8TC, ZXMP6A16DN8TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 187.28 KB)
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ZXMP6A16DN8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1021pF @ 30V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 27A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 20mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 30V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

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