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ZXT10N15DE6TC

ZXT10N15DE6TC

僅供參考

型號 ZXT10N15DE6TC
PNEDA編號 ZXT10N15DE6TC
描述 TRANS NPN 15V 4A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 1 - 三月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT10N15DE6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT10N15DE6TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT10N15DE6TC, ZXT10N15DE6TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 360.17 KB)
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ZXT10N15DE6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic260mV @ 50mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 3A, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-23-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

155MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 300mA, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 30A, 5V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 20V

功率-最大

830mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 500mA, 3V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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