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ZXT12N20DXTC

ZXT12N20DXTC

僅供參考

型號 ZXT12N20DXTC
PNEDA編號 ZXT12N20DXTC
描述 TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT12N20DXTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT12N20DXTC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXT12N20DXTC, ZXT12N20DXTC數據表 (總頁數: 6, 大小: 265.14 KB)
PDFZXT12N20DXTC數據表 封面
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ZXT12N20DXTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)3.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 50mA, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1A, 2V
功率-最大1.04W
頻率-過渡112MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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Diodes Incorporated

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NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V

功率-最大

405mW

頻率-過渡

175MHz, 65MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

175MHz, 140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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