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ZXTC6718MCQTA

ZXTC6718MCQTA

僅供參考

型號 ZXTC6718MCQTA
PNEDA編號 ZXTC6718MCQTA
描述 PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTC6718MCQTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTC6718MCQTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXTC6718MCQTA, ZXTC6718MCQTA數據表 (總頁數: 9, 大小: 225.88 KB)
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ZXTC6718MCQTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 125mA, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 200mA, 2V
功率-最大1.5W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝W-DFN3020-8

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA, 100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Renesas Electronics America Inc.

系列

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晶體管類型

5 NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 3V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

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安裝類型

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1.75A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 2mA, 1.25A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

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