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ZXTN2007GTA

ZXTN2007GTA

僅供參考

型號 ZXTN2007GTA
PNEDA編號 ZXTN2007GTA
描述 TRANS NPN 30V 7A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 86,154
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN2007GTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN2007GTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN2007GTA, ZXTN2007GTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 431.81 KB)
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ZXTN2007GTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic220mV @ 300mA, 6.5A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 1V
功率-最大3W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

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工作溫度

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