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ZXTNS618MCTA

ZXTNS618MCTA

僅供參考

型號 ZXTNS618MCTA
PNEDA編號 ZXTNS618MCTA
描述 TRANS NPN 20V 4.5A DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 28,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTNS618MCTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTNS618MCTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTNS618MCTA, ZXTNS618MCTA數據表 (總頁數: 10, 大小: 269.63 KB)
PDFZXTNS618MCTA數據表 封面
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ZXTNS618MCTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN + Diode (Isolated)
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic270mV @ 125mA, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)25nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V
功率-最大3W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-DFN (3x2)

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOT-323

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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