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頁面 1104/1578

型號	描述	庫存
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (11.5x13)	庫存2,070
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (11.5x13)	庫存5,976
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc.	內存 MASSFLASH/LPDDR2 6G 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,394
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存3,024
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存6,480
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存2,880
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 4G PARALLEL 162VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,626
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存5,400
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存8,946
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,650
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,824
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存6,210
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存21,900
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR2 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,544
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR2 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,140
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 6G DDR2 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,094
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 6G DDR2 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,760
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,664
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,208
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,744
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,960
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,712
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,964
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存3,276
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存4,284
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,840
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR 168BGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,550
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 8G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,132
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,600
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,354

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