內存IC

型號	描述	庫存
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: PSRAM 技術: PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小: 8Mb (512K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 70ns 訪問時間: 70ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-VFBGA 供應商設備包裝: 48-VFBGA (6x8)	庫存6,138
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc.	內存 IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: PSRAM 技術: PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小: 8Mb (512K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 70ns 訪問時間: 70ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-VFBGA 供應商設備包裝: 48-VFBGA (6x8)	庫存4,392
MT45W8MW16BGX-701 IT Micron Technology Inc.	內存 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: PSRAM 技術: PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 70ns 訪問時間: 70ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)	庫存5,184
MT45W8MW16BGX-701 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: PSRAM 技術: PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 70ns 訪問時間: 70ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)	庫存3,456
MT45W8MW16BGX-701 WT TR Micron Technology Inc.	內存 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: PSRAM 技術: PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 70ns 訪問時間: 70ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)	庫存6,444
MT45W8MW16BGX-708 WT TR Micron Technology Inc.	內存 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: PSRAM 技術: PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 80MHz 寫周期-字，頁: 70ns 訪問時間: 70ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)	庫存3,672
MT45W8MW16BGX-856 AT Micron Technology Inc.	內存 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: PSRAM 技術: PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 66MHz 寫周期-字，頁: 85ns 訪問時間: 85ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)	庫存3,402
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存6,552
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存3,472
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存4,518
MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存4,752
MT46H128M16LFB7-5 WT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存7,074
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存6,282
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存8,208
MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存5,112
MT46H128M16LFB7-6 WT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存7,110
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)	庫存4,734
MT46H128M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x11.5)	庫存2,736
MT46H128M16LFCK-6 IT:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x11.5)	庫存133,916
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存3,472
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存23,748
MT46H128M16LFDD-48 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存2,925
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存4,572
MT46H128M16LFDD-48 WT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存6,606
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存2,466
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 4Gb (128M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	庫存2,178
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 4Gb (128M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	庫存5,904
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 4Gb (128M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	請求報價
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 4Gb (128M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 208MHz 寫周期-字，頁: 14.4ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	庫存6,156
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 4Gb (128M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	庫存7,452

MT45W512KW16PEGA-70 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: PSRAM
技術: PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小: 8Mb (512K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 70ns
訪問時間: 70ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-VFBGA
供應商設備包裝: 48-VFBGA (6x8)

庫存6,138

MT45W512KW16PEGA-70 WT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: PSRAM
技術: PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小: 8Mb (512K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 70ns
訪問時間: 70ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-VFBGA
供應商設備包裝: 48-VFBGA (6x8)

庫存4,392

MT45W8MW16BGX-701 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: PSRAM
技術: PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 70ns
訪問時間: 70ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)

庫存5,184

MT45W8MW16BGX-701 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: PSRAM
技術: PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 70ns
訪問時間: 70ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)

庫存3,456

MT45W8MW16BGX-701 WT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: PSRAM
技術: PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 70ns
訪問時間: 70ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)

庫存6,444

MT45W8MW16BGX-708 WT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: PSRAM
技術: PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 80MHz
寫周期-字，頁: 70ns
訪問時間: 70ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)

庫存3,672

MT45W8MW16BGX-856 AT

Micron Technology Inc.

內存

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: PSRAM
技術: PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 66MHz
寫周期-字，頁: 85ns
訪問時間: 85ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x10)

庫存3,402

MT46H128M16LFB7-5 AIT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存6,552

MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存3,472

MT46H128M16LFB7-5 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存4,518

MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存4,752

MT46H128M16LFB7-5 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存7,074

MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存6,282

MT46H128M16LFB7-6 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存8,208

MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存5,112

MT46H128M16LFB7-6 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存7,110

MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x10)

庫存4,734

MT46H128M16LFCK-5 IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x11.5)

庫存2,736

MT46H128M16LFCK-6 IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (10x11.5)

庫存133,916

MT46H128M16LFDD-48 AIT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存3,472

MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存23,748

MT46H128M16LFDD-48 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存2,925

MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存4,572

MT46H128M16LFDD-48 WT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存6,606

MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (128M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存2,466

MT46H128M32L2KQ-48 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 4Gb (128M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

庫存2,178

MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 4Gb (128M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

庫存5,904

MT46H128M32L2KQ-48 WT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 4Gb (128M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

請求報價

MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 4Gb (128M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 208MHz
寫周期-字，頁: 14.4ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

庫存6,156

MT46H128M32L2KQ-5 IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 4Gb (128M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

庫存7,452

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