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描述
庫存
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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存8,676
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存6,930
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存2,808
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存2,862
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存6,354
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存5,886
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存2,430
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)
庫存6,444
MT46H128M32L2MC-5 IT:A
MT46H128M32L2MC-5 IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-WFBGA (14x14)
庫存7,362
MT46H128M32L2MC-5 WT:B
MT46H128M32L2MC-5 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-WFBGA (14x14)
庫存2,610
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-WFBGA (14x14)
庫存4,788
MT46H128M32L2MC-6 IT:A
MT46H128M32L2MC-6 IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-WFBGA (14x14)
庫存3,582
MT46H128M32L2MC-6 WT:B
MT46H128M32L2MC-6 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-WFBGA (14x14)
庫存5,724
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 240-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 240-WFBGA (14x14)
庫存6,120
MT46H16M16LFBF-5:H
MT46H16M16LFBF-5:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存5,274
MT46H16M16LFBF-5:H TR
MT46H16M16LFBF-5:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存6,750
MT46H16M16LFBF-5 IT:H
MT46H16M16LFBF-5 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存2,100
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存5,652
MT46H16M16LFBF-6 AT:H
MT46H16M16LFBF-6 AT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存8,910
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存3,240
MT46H16M16LFBF-6:A TR
MT46H16M16LFBF-6:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存8,568
MT46H16M16LFBF-6:H
MT46H16M16LFBF-6:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存6,750
MT46H16M16LFBF-6:H TR
MT46H16M16LFBF-6:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存3,312
MT46H16M16LFBF-6 IT:A
MT46H16M16LFBF-6 IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存6,066
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存7,380
MT46H16M16LFBF-6 IT:H
MT46H16M16LFBF-6 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存5,886
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存2,178
MT46H16M16LFBF-75:A
MT46H16M16LFBF-75:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 6.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)
庫存8,946
MT46H16M32LFB5-5 IT:C
MT46H16M32LFB5-5 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存36,459
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.0ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,218