內存IC

型號	描述	庫存
MT46V16M16CY-6 IT:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)	庫存5,598
MT46V16M16CY-6:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)	庫存7,344
MT46V16M16FG-5B:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存8,190
MT46V16M16FG-6:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存7,596
MT46V16M16FG-6 L:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存6,714
MT46V16M16FG-6 L:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存8,568
MT46V16M16FG-75:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存2,538
MT46V16M16FG-75:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存3,726
MT46V16M16P-5B AIT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,834
MT46V16M16P-5B AIT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存21,852
MT46V16M16P-5B:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,974
MT46V16M16P-5B IT:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存5,742
MT46V16M16P-5B IT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存5,616
MT46V16M16P-5B IT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,280
MT46V16M16P-5B:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,456
MT46V16M16P-5B:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存377
MT46V16M16P-5B:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,150
MT46V16M16P-5B XIT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,546
MT46V16M16P-5B XIT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,528
MT46V16M16P-6T:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,527
MT46V16M16P-6T:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,226
MT46V16M16P-6T IT:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,084
MT46V16M16P-6T IT:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存5,976
MT46V16M16P-6T:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,825
MT46V16M16P-6T L:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存5,580
MT46V16M16P-6T L:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存5,112
MT46V16M16P-75:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存34,041
MT46V16M16P-75:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,894
MT46V16M16TG-5B:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,722
MT46V16M16TG-5B IT:M Alliance Memory, Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP 制造商: Alliance Memory, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP II	庫存8,928

MT46V16M16CY-6 IT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

庫存5,598

MT46V16M16CY-6:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

庫存7,344

MT46V16M16FG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存8,190

MT46V16M16FG-6:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存7,596

MT46V16M16FG-6 L:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存6,714

MT46V16M16FG-6 L:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存8,568

MT46V16M16FG-75:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存2,538

MT46V16M16FG-75:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存3,726

MT46V16M16P-5B AIT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,834

MT46V16M16P-5B AIT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存21,852

MT46V16M16P-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,974

MT46V16M16P-5B IT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,742

MT46V16M16P-5B IT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,616

MT46V16M16P-5B IT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,280

MT46V16M16P-5B:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,456

MT46V16M16P-5B:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存377

MT46V16M16P-5B:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,150

MT46V16M16P-5B XIT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,546

MT46V16M16P-5B XIT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,528

MT46V16M16P-6T:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,527

MT46V16M16P-6T:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,226

MT46V16M16P-6T IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,084

MT46V16M16P-6T IT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,976

MT46V16M16P-6T:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,825

MT46V16M16P-6T L:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,580

MT46V16M16P-6T L:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,112

MT46V16M16P-75:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存34,041

MT46V16M16P-75:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,894

MT46V16M16TG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,722

MT46V16M16TG-5B IT:M

Alliance Memory, Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

制造商: Alliance Memory, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP II

庫存8,928

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