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型號
描述
庫存
數量
MT46V16M16TG-5B:MTR
MT46V16M16TG-5B:MTR

Alliance Memory, Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Alliance Memory, Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存14,718
MT46V16M16TG-5G:F
MT46V16M16TG-5G:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,388
MT46V16M16TG-5G:F TR
MT46V16M16TG-5G:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,690
MT46V16M16TG-6T:F TR
MT46V16M16TG-6T:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,034
MT46V16M16TG-6T IT:F TR
MT46V16M16TG-6T IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,238
MT46V16M16TG-75:F
MT46V16M16TG-75:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,748
MT46V16M16TG-75:F TR
MT46V16M16TG-75:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,686
MT46V16M16TG-75 IT:F
MT46V16M16TG-75 IT:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,316
MT46V16M16TG-75 IT:F TR
MT46V16M16TG-75 IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,174
MT46V16M16TG-75 L:F
MT46V16M16TG-75 L:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,830
MT46V16M16TG-75 L:F TR
MT46V16M16TG-75 L:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,856
MT46V16M8P-6T:D
MT46V16M8P-6T:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,310
MT46V16M8P-6T:DTR
MT46V16M8P-6T:DTR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,356
MT46V16M8P-6T IT:D TR
MT46V16M8P-6T IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,966
MT46V16M8P-6TL:DTR
MT46V16M8P-6TL:DTR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,248
MT46V16M8P-75:D
MT46V16M8P-75:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,460
MT46V16M8P-75:D TR
MT46V16M8P-75:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,904
MT46V16M8TG-6T:D TR
MT46V16M8TG-6T:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,254
MT46V16M8TG-6T IT:D TR
MT46V16M8TG-6T IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,600
MT46V16M8TG-6T L:D TR
MT46V16M8TG-6T L:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,916
MT46V16M8TG-75:D
MT46V16M8TG-75:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,974
MT46V16M8TG-75:D TR
MT46V16M8TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (16M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,526
MT46V256M4P-6T:A
MT46V256M4P-6T:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,376
MT46V256M4P-6T:A TR
MT46V256M4P-6T:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,250
MT46V256M4P-75:A
MT46V256M4P-75:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,178
MT46V256M4P-75:A TR
MT46V256M4P-75:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,418
MT46V256M4TG-6T:A
MT46V256M4TG-6T:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,352
MT46V256M4TG-6T:A TR
MT46V256M4TG-6T:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,932
MT46V256M4TG-75:A
MT46V256M4TG-75:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,580
MT46V256M4TG-75:A TR
MT46V256M4TG-75:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (256M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,610