內存IC

70T3319S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3319S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3319S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3319S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3319S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3319S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3319S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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70T3319S166BFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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70T3319S200BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3319S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3339S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3339S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3339S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3339S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3339S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3339S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3339S200BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3339S200BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3399S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3399S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3399S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3399S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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