內存IC

型號	描述	庫存
70V7319S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存8,406
70V7319S166BCGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存6,696
70V7319S166BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存2,556
70V7319S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存8,244
70V7319S200BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存6,444
70V7319S200BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存6,372
70V7339S133BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存5,436
70V7339S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存4,572
70V7339S133BCI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,654
70V7339S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,578
70V7339S133BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存7,056
70V7339S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存7,344
70V7339S133BFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存7,290
70V7339S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存7,668
70V7339S166BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存4,770
70V7339S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存2,862
70V7339S166BCGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,002
70V7339S166BCI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,798
70V7339S166BCI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,344
70V7339S166BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存5,040
70V7339S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存6,192
70V7339S166BFG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存8,964
70V7339S166BFG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存8,514
70V7339S200BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存4,050
70V7339S200BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (512K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,434
70V7519S133BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存5,886
70V7519S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,544
70V7519S133BCI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,740
70V7519S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,438
70V7519S133BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存7,290

70V7319S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存8,406

70V7319S166BCGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存6,696

70V7319S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存2,556

70V7319S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存8,244

70V7319S200BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存6,444

70V7319S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存6,372

70V7339S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存5,436

70V7339S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存4,572

70V7339S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,654

70V7339S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,578

70V7339S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存7,056

70V7339S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存7,344

70V7339S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存7,290

70V7339S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存7,668

70V7339S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存4,770

70V7339S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存2,862

70V7339S166BCGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,002

70V7339S166BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,798

70V7339S166BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,344

70V7339S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存5,040

70V7339S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存6,192

70V7339S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存8,964

70V7339S166BFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存8,514

70V7339S200BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存4,050

70V7339S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (512K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,434

70V7519S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存5,886

70V7519S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,544

70V7519S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,740

70V7519S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,438

70V7519S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存7,290

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