內存IC

型號	描述	庫存
70V658S10BCG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存6,390
70V658S10BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存8,136
70V658S10BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,446
70V658S10BFG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存7,920
70V658S10BFG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存6,084
70V658S10DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存8,712
70V658S10DRG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存4,140
70V658S12BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存2,754
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70V658S12BCI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,276
70V658S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存4,770
70V658S12BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存3,996
70V658S12BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存3,798
70V658S12BFGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存8,442
70V658S12BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存3,870
70V658S12BFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,104
70V658S12BFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存2,286
70V658S12DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存4,374
70V658S12DRI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存5,454
70V658S15BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存5,490
70V658S15BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存2,196
70V658S15BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存149
70V658S15BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存8,388
70V658S15DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 2Mb (64K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存8,550
70V659S10BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,598
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70V659S10BCG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存6,876
70V659S10BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存5,760
70V659S10BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,932
70V659S10BFG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存3,312

70V658S10BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存6,390

70V658S10BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存8,136

70V658S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,446

70V658S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存7,920

70V658S10BFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存6,084

70V658S10DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存8,712

70V658S10DRG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存4,140

70V658S12BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存2,754

70V658S12BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,776

70V658S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,276

70V658S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存4,770

70V658S12BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存3,996

70V658S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存3,798

70V658S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存8,442

70V658S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存3,870

70V658S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,104

70V658S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存2,286

70V658S12DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存4,374

70V658S12DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存5,454

70V658S15BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存5,490

70V658S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存2,196

70V658S15BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存149

70V658S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存8,388

70V658S15DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 2Mb (64K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存8,550

70V659S10BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,598

70V659S10BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,816

70V659S10BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存6,876

70V659S10BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存5,760

70V659S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,932

70V659S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存3,312

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