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7164S20YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S20YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S20YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S20YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S25DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S25TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164S25TPG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-PDIP

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7164S25YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S25YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S25YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S25YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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7164S35DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S35TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164S45DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 45ns
• 訪問時間: 45ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S55DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S55TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164S70DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 70ns
• 訪問時間: 70ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S70TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 70ns
• 訪問時間: 70ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164S85DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 85ns
• 訪問時間: 85ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S85TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 85ns
• 訪問時間: 85ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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71T75602S100BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S100BGG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S100BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S100BGGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S100BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S100BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S133BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71T75602S133BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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