內存IC

71V124SA15PHGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-TSOP II

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71V124SA15PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-TSOP II

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71V124SA15TYG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V124SA15TYG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V124SA15TYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V124SA15TYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V124SA15YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V124SA15YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V124SA15YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V124SA15YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-SOJ

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71V2546S100BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100MHZ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: -

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71V2546S100BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100MHZ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: -

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71V2546S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2546S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2546S133BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S133BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S133BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S133BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2546S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2546S150BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 150MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S150BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 150MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V2546S150PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 150MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2546S150PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 150MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2556S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2556S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2556S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V2556S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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