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描述
庫存
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71V2556S133PFG
71V2556S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,952
71V2556S133PFG8
71V2556S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,248
71V2556S133PFGI
71V2556S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,860
71V2556S133PFGI8
71V2556S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,160
71V2556S150PFG
71V2556S150PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,142
71V2556S150PFG8
71V2556S150PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
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  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,924
71V2556S150PFGI
71V2556S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,822
71V2556S150PFGI8
71V2556S150PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,240
71V2556S166PFG
71V2556S166PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
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  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,410
71V2556S166PFG8
71V2556S166PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
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  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,852
71V2556S166PFGI
71V2556S166PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
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  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,856
71V2556S166PFGI8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
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  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,730
71V2556SA100BG
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,554
71V2556SA100BG8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
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  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存5,220
71V2556SA100BGG
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
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  • 安裝類型: Surface Mount
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  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,902
71V2556SA100BGG8
71V2556SA100BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存6,156
71V2556SA100BGGI
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,866
71V2556SA100BGGI8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,830
71V2556SA100BGI
71V2556SA100BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存5,328
71V2556SA100BGI8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存2,376
71V2556SA133BG
71V2556SA133BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存2,448
71V2556SA133BG8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存2,844
71V2556SA133BGG
71V2556SA133BGG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存6,408
71V2556SA133BGG8
71V2556SA133BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,878
71V2556SA133BGI
71V2556SA133BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,896
71V2556SA133BGI8
71V2556SA133BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,078
71V2556SA166BG
71V2556SA166BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存2,394
71V2556SA166BG8
71V2556SA166BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存8,136
71V256S10YG
71V256S10YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 256Kb (32K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 供應商設備包裝: 28-SOJ
庫存6,588
71V256S10YG8
71V256S10YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 256Kb (32K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 供應商設備包裝: 28-SOJ
庫存6,426