內存IC

71V65703S80BGG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S80BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S80BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80BQGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V65703S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V65703S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V65703S80PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V65703S85BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BGG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BGGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V65703S85BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S85BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S85BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S85BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S85BQGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V65703S85BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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