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描述
庫存
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71V546S133PFG
71V546S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,532
71V546S133PFG8
71V546S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,502
71V546S133PFGI
71V546S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,254
71V546S133PFGI8
71V546S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,722
71V547S100PFG
71V547S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,246
71V547S100PFG8
71V547S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,064
71V547S100PFGI
71V547S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,272
71V547S100PFGI8
71V547S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,118
71V547S75PFG
71V547S75PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,194
71V547S75PFG8
71V547S75PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,016
71V547S80PFG
71V547S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,084
71V547S80PFG8
71V547S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,546
71V547S80PFGI
71V547S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,894
71V547S80PFGI8
71V547S80PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,968
71V632S5PFG
71V632S5PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,906
71V632S5PFG8
71V632S5PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,902
71V632S5PFGI
71V632S5PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,340
71V632S5PFGI8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,104
71V632S6PFG
71V632S6PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 83MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,968
71V632S6PFG8
71V632S6PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 83MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,014
71V632S6PFGI
71V632S6PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 83MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存5,076
71V632S6PFGI8
71V632S6PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 83MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存5,382
71V632S7PFG
71V632S7PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 66MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,542
71V632S7PFG8
71V632S7PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 66MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,498
71V632S7PFGI
71V632S7PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 66MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,434
71V632S7PFGI8
71V632S7PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 66MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,768
71V65603S100BG
71V65603S100BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存8,856
71V65603S100BG8
71V65603S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存8,046
71V65603S100BGI
71V65603S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,254
71V65603S100BGI8
71V65603S100BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,222