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內存IC

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型號
描述
庫存
數量
5962-8855202XA
5962-8855202XA

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 256Kb (32K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 供應商設備包裝: 28-CerDip
庫存8,658
5962-8855204XA
5962-8855204XA

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 256Kb (32K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 供應商設備包裝: 28-CerDip
庫存4,716
5962-9232404MXA
5962-9232404MXA

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: NVSRAM
  • 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 內存大小: 64Kb (8K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 55ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 28-CDIP
庫存6,768
5962-9232404MYA
5962-9232404MYA

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: NVSRAM
  • 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 內存大小: 64Kb (8K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 55ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 28-LCC
  • 供應商設備包裝: 28-LCC (13.97x8.89)
庫存2,610
5962-9232406MYA
5962-9232406MYA

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: NVSRAM
  • 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 內存大小: 64Kb (8K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 35ns
  • 訪問時間: 35ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 28-LCC
  • 供應商設備包裝: 28-LCC (13.97x8.89)
庫存7,938
5962-9459901MXA
5962-9459901MXA

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: NVSRAM
  • 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 內存大小: 64Kb (8K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 55ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 28-CDIP
庫存8,622
5962-9459903MXA
5962-9459903MXA

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: NVSRAM
  • 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 內存大小: 64Kb (8K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 35ns
  • 訪問時間: 35ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 28-CDIP
庫存8,946
5962-9459903MYA
5962-9459903MYA

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: NVSRAM
  • 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 內存大小: 64Kb (8K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 35ns
  • 訪問時間: 35ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 28-LCC
  • 供應商設備包裝: 28-LCC (13.97x8.89)
庫存8,478
5962F1120101QXA
5962F1120101QXA

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 內存大小: 72Mb (4M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 165-BFCCGA
  • 供應商設備包裝: 165-CCGA (21x25)
庫存7,938
5962F1120102QXA
5962F1120102QXA

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 內存大小: 72Mb (4M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 165-BFCCGA
  • 供應商設備包裝: 165-CCGA (21x25)
庫存5,724
5962F1120201QXA
5962F1120201QXA

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 內存大小: 72Mb (2M x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 165-BFCCGA
  • 供應商設備包裝: 165-CCGA (21x25)
庫存7,830
5962F1120202QXA
5962F1120202QXA

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 內存大小: 72Mb (2M x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 165-BFCCGA
  • 供應商設備包裝: 165-CCGA (21x25)
庫存2,808
5962F1123501QXA
5962F1123501QXA

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36CERPAK

  • 制造商: Cypress Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 4Mb (512K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 83MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 12ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 36-CFlatPack
  • 供應商設備包裝: 36-Ceramic FlatPack
庫存2,754
602-00001
602-00001

Parallax

內存

IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8DIP

  • 制造商: Parallax Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: EEPROM
  • 技術: EEPROM
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: I²C
  • 時鐘頻率: 400kHz
  • 寫周期-字,頁: 5ms
  • 訪問時間: 900ns
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 8-DIP
庫存3,510
602-00005
602-00005

Parallax

內存

IC EEPROM 2K 8DIP

  • 制造商: Parallax Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: EEPROM
  • 技術: EEPROM
  • 內存大小: 2Kb (256 x 8)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 8-DIP
庫存2,106
602-00013
602-00013

Parallax

內存

IC EEPROM 128K I2C 400KHZ 8DIP

  • 制造商: Parallax Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: EEPROM
  • 技術: EEPROM
  • 內存大小: 128Kb (16K x 8)
  • 內存接口: I²C
  • 時鐘頻率: 400kHz
  • 寫周期-字,頁: 5ms
  • 訪問時間: 900ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 8-DIP
庫存6,642
602-00032
602-00032

Parallax

內存

IC EEPROM 256K I2C 400KHZ 8DIP

  • 制造商: Parallax Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: EEPROM
  • 技術: EEPROM
  • 內存大小: 256Kb (32K x 8)
  • 內存接口: I²C
  • 時鐘頻率: 400kHz
  • 寫周期-字,頁: 5ms
  • 訪問時間: 900ns
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 8-DIP
庫存2,088
602-10001
602-10001

Parallax

內存

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ

  • 制造商: Parallax Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: EEPROM
  • 技術: EEPROM
  • 內存大小: 512Kb (64K x 8)
  • 內存接口: I²C
  • 時鐘頻率: 1MHz
  • 寫周期-字,頁: 5ms
  • 訪問時間: 550ns
  • 電壓-供電: 1.8V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-TSSOP
庫存3,672
602-20011
602-20011

Parallax

內存

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC

  • 制造商: Parallax Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: EEPROM
  • 技術: EEPROM
  • 內存大小: 4Kb (512 x 8)
  • 內存接口: SPI
  • 時鐘頻率: 2MHz
  • 寫周期-字,頁: 6ms
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.8V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOIC
庫存5,382
602-20012
602-20012

Parallax

內存

IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 制造商: Parallax Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Non-Volatile
  • 內存格式: EEPROM
  • 技術: EEPROM
  • 內存大小: 128Kb (16K x 8)
  • 內存接口: I²C
  • 時鐘頻率: 1MHz
  • 寫周期-字,頁: 5ms
  • 訪問時間: 400ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOIC
庫存7,056
6116LA120DB
6116LA120DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 120ns
  • 訪問時間: 120ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 供應商設備包裝: 24-CDIP
庫存8,604
6116LA120TDB
6116LA120TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 120ns
  • 訪問時間: 120ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 24-CDIP
庫存8,064
6116LA150DB
6116LA150DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 150ns
  • 訪問時間: 150ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 供應商設備包裝: 24-CDIP
庫存98
6116LA150TDB
6116LA150TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 150ns
  • 訪問時間: 150ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 24-CDIP
庫存6,750
6116LA15SOGI8
6116LA15SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 15ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 供應商設備包裝: 24-SOIC
庫存2,178
6116LA20SOG
6116LA20SOG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 20ns
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 供應商設備包裝: 24-SOIC
庫存2,430
6116LA20SOG8
6116LA20SOG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 20ns
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 供應商設備包裝: 24-SOIC
庫存5,004
6116LA20SOGI
6116LA20SOGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 20ns
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 供應商設備包裝: 24-SOIC
庫存4,626
6116LA20SOGI8
6116LA20SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 20ns
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 供應商設備包裝: 24-SOIC
庫存3,960
6116LA20TDB
6116LA20TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 16Kb (2K x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 20ns
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 供應商設備包裝: 24-CDIP
庫存2,592