晶體管

型號	描述	庫存
APT12057LFLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 690W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,462
APT12067B2LLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4420pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 565W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存8,838
APT12067JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,064
APT12080JVR Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 485nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存2,322
APT12F60K Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 225W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 [K] 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,230
APT12M80B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 335W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,240
APT130SM70B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V TO247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 700V FET功能: - 功耗（最大值）: 556W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,262
APT130SM70J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 700V FET功能: - 功耗（最大值）: 273W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,390
APT13F120B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4765pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,020
APT13F120S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4765pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存6,984
APT14050JVFR Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 11.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 820nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,230
APT14F100B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,254
APT14F100S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存8,064
APT14M100B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,590
APT14M100S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 880mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,158
APT14M120B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4765pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,122
APT15F50K Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 223W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 [K] 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,784
APT15F60B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2882pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,948
APT15F60S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2882pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存3,418
APT17F100B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4845pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,948
APT17F100S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4845pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存6,930
APT17F120J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 545W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存3,472
APT17F80B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3757pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,210
APT17F80S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3757pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存5,328
APT17N80BC3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,232
APT17N80SC3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存5,112
APT18F60B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 335W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,924
APT18F60S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 370mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 335W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存2,376
APT18M100B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4845pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,642
APT18M80B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3760pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,236

APT12057LFLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,462

APT12067B2LLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4420pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 565W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存8,838

APT12067JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,064

APT12080JVR

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 485nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存2,322

APT12F60K

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 225W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 [K]
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,230

APT12M80B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 335W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,240

APT130SM70B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V TO247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 700V
FET功能: -
功耗（最大值）: 556W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,262

APT130SM70J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 700V
FET功能: -
功耗（最大值）: 273W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,390

APT13F120B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4765pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,020

APT13F120S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4765pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存6,984

APT14050JVFR

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 820nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,230

APT14F100B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,254

APT14F100S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存8,064

APT14M100B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,590

APT14M100S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 880mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,158

APT14M120B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4765pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,122

APT15F50K

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 15A TO-220

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 223W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 [K]
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,784

APT15F60B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2882pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,948

APT15F60S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2882pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存3,418

APT17F100B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4845pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,948

APT17F100S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4845pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存6,930

APT17F120J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 545W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存3,472

APT17F80B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 18A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3757pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,210

APT17F80S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3757pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存5,328

APT17N80BC3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,232

APT17N80SC3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存5,112

APT18F60B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 335W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,924

APT18F60S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 370mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 335W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存2,376

APT18M100B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4845pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,642

APT18M80B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3760pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,236

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