晶體管

型號	描述	庫存
APT1002RBNG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS IV® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 240W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,066
APT10035B2LLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 690W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存4,482
APT10035JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,010
APT1003RBLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 694pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,100
APT1003RKLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 694pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 [K] 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,994
APT10045B2LLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 565W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存8,982
APT10045JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存3,618
APT10078BLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2525pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 403W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,032
APT10078SLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2525pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 403W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3 [S] 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存3,544
APT10090BLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1969pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 298W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,024
APT100F50J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 620nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,572
APT100M50J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 620nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,122
APT100MC120JCU2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5960pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 600W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,110
APT106N60B2C6 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 106A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 833W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存7,146
APT10M07JVR Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,866
APT10M09B2VFRG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存8,424
APT10M11B2VFRG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存5,400
APT10M11JVR Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 144A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,452
APT10M11JVRU2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 142A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,056
APT10M11JVRU3 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 142A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,716
APT11F80B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2471pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 337W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,086
APT11F80S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2471pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 337W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存6,156
APT11N80BC3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 680µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1585pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,208
APT11N80KC3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 680µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1585pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 [K] 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,280
APT1201R4BFLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2030pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,834
APT12031JFLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 365nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 690AW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,453
APT1204R7BFLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存9,228
APT1204R7KFLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 [K] 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,700
APT12057B2LLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 690W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,716
APT12057JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,554

APT1002RBNG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS IV®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 240W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,066

APT10035B2LLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存4,482

APT10035JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,010

APT1003RBLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 694pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,100

APT1003RKLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 694pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 [K]
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,994

APT10045B2LLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 565W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存8,982

APT10045JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存3,618

APT10078BLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2525pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 403W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,032

APT10078SLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2525pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 403W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3 [S]
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存3,544

APT10090BLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1969pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 298W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,024

APT100F50J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 620nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,572

APT100M50J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 620nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,122

APT100MC120JCU2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5960pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,110

APT106N60B2C6

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 106A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 833W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存7,146

APT10M07JVR

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1050nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,866

APT10M09B2VFRG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存8,424

APT10M11B2VFRG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存5,400

APT10M11JVR

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 144A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,452

APT10M11JVRU2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 142A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,056

APT10M11JVRU3

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 142A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,716

APT11F80B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2471pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 337W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,086

APT11F80S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2471pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 337W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存6,156

APT11N80BC3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 680µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1585pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,208

APT11N80KC3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 680µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1585pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 [K]
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,280

APT1201R4BFLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2030pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,834

APT12031JFLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 365nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690AW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,453

APT1204R7BFLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存9,228

APT1204R7KFLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 [K]
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,700

APT12057B2LLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,716

APT12057JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,554

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