晶體管

型號	描述	庫存
FDMS8350LET40 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Ta), 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 219nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16590pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.33W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,362
FDMS8460 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 25A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7205pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存90,804
FDMS8558S ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench®, SyncFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5118pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,546
FDMS8558SDC ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench®, SyncFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5118pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Dual Cool™56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存28,356
FDMS8560S ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench®, SyncFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,376
FDMS8570S ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench®, SyncFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 425nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2825pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,016
FDMS8570SDC ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 28A PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench®, SyncFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2825pF @ 13V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Dual Cool™56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,912
FDMS86101 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.4A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,916
FDMS86101A ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 13A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4120pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存28,386
FDMS86101DC ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Dual Cool™, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3135pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Dual Cool™56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存141,540
FDMS86101E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 FET 100V 8.0 MOHM PQFN56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.4A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,968
FDMS86102LZ ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1305pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,542
FDMS86103L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 12A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,202
FDMS86104 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 7A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 923pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 73W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,520
FDMS86105 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存43,842
FDMS86150 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 100V 16A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4065pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,884
FDMS86150ET100 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 128A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4065pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 187W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,354
FDMS86152 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 14A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3370pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,916
FDMS86163P ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.9A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4085pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,724
FDMS86180 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 151A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 6V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 138W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,366
FDMS86181 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 44A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4125pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,806
FDMS86182 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 6V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,640
FDMS86183 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 6V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1515pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,200
FDMS86200 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2715pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,668
FDMS86200DC ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 制造商: ON Semiconductor 系列: Dual Cool™, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Ta), 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2955pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Dual Cool™56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,834
FDMS86200E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 FET 150V 18.0 MOHM PQFN56 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,366
FDMS86201 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2735pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存42,048
FDMS86202 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 8MLP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4250pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存56,058
FDMS86202ET120 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta), 102A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4585pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 187W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,826
FDMS8622 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存24,414

FDMS8350LET40

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Ta), 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 219nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16590pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.33W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,362

FDMS8460

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 25A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7205pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存90,804

FDMS8558S

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5118pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,546

FDMS8558SDC

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5118pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Dual Cool™56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存28,356

FDMS8560S

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,376

FDMS8570S

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 425nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2825pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,016

FDMS8570SDC

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 28A PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2825pF @ 13V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Dual Cool™56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,912

FDMS86101

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,916

FDMS86101A

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 13A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4120pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存28,386

FDMS86101DC

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Dual Cool™, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3135pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Dual Cool™56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存141,540

FDMS86101E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

FET 100V 8.0 MOHM PQFN56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,968

FDMS86102LZ

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1305pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,542

FDMS86103L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,202

FDMS86104

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 923pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 73W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,520

FDMS86105

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存43,842

FDMS86150

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 16A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4065pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,884

FDMS86150ET100

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 16A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 128A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4065pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 187W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,354

FDMS86152

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 14A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3370pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,916

FDMS86163P

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4085pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,724

FDMS86180

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 151A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 6V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 138W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,366

FDMS86181

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 44A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4125pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,806

FDMS86182

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 6V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,640

FDMS86183

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 6V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1515pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,200

FDMS86200

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2715pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,668

FDMS86200DC

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56

制造商: ON Semiconductor
系列: Dual Cool™, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2955pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Dual Cool™56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,834

FDMS86200E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

FET 150V 18.0 MOHM PQFN56

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,366

FDMS86201

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2735pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存42,048

FDMS86202

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 8MLP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4250pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存56,058

FDMS86202ET120

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4585pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 187W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,826

FDMS8622

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存24,414

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