晶體管

型號	描述	庫存
IRLML2402TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,288,478
IRLML2502GTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,398
IRLML2502TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,092
IRLML2502TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存789,030
IRLML2803TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,160
IRLML2803TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存631,686
IRLML5103TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 760mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,310
IRLML5103TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 760mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存59,328
IRLML5203 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,822
IRLML5203TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存248,382
IRLML6244TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存85,824
IRLML6246TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存593,490
IRLML6302TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 780mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.45V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 97pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,682
IRLML6302TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 780mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.45V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 97pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存288,588
IRLML6344TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,249,700
IRLML6346TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存725,250
IRLML6401TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,092
IRLML6401TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,835,610
IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 633pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,070
IRLML6402TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 633pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,346
IRLML6402TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 633pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,221,318
IRLML9301TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 388pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存245,898
IRLML9303TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存87,858
IRLMS1503TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱: SOT-23-6	庫存7,956
IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱: SOT-23-6	庫存80,112
IRLMS1902TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱: SOT-23-6	庫存6,030
IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱: SOT-23-6	庫存277,416
IRLMS2002 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro6™(SOT23-6) 包裝/箱: SOT-23-6	庫存7,524
IRLMS2002GTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro6™(SOT23-6) 包裝/箱: SOT-23-6	庫存5,562
IRLMS2002TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro6™(SOT23-6) 包裝/箱: SOT-23-6	庫存7,344

IRLML2402TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,288,478

IRLML2502GTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,398

IRLML2502TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,092

IRLML2502TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存789,030

IRLML2803TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,160

IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存631,686

IRLML5103TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 760mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,310

IRLML5103TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 760mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存59,328

IRLML5203

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,822

IRLML5203TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存248,382

IRLML6244TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存85,824

IRLML6246TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存593,490

IRLML6302TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 780mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.45V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 97pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,682

IRLML6302TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 780mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.45V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 97pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存288,588

IRLML6344TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,249,700

IRLML6346TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存725,250

IRLML6401TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,092

IRLML6401TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,835,610

IRLML6402GTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 633pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,070

IRLML6402TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 633pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,346

IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 633pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,221,318

IRLML9301TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 388pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存245,898

IRLML9303TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro3™/SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存87,858

IRLMS1503TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱: SOT-23-6

庫存7,956

IRLMS1503TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱: SOT-23-6

庫存80,112

IRLMS1902TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱: SOT-23-6

庫存6,030

IRLMS1902TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱: SOT-23-6

庫存277,416

IRLMS2002

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro6™(SOT23-6)
包裝/箱: SOT-23-6

庫存7,524

IRLMS2002GTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro6™(SOT23-6)
包裝/箱: SOT-23-6

庫存5,562

IRLMS2002TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro6™(SOT23-6)
包裝/箱: SOT-23-6

庫存7,344

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