晶體管

IRLHS6242TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerVDFN

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IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerVDFN

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IRLHS6342TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1019pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerVDFN

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IRLHS6342TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1019pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerVDFN

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IRLI2203N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 47W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI2203NPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 47W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI2505

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 31A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 63W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI2910

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 63W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI2910PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 63W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI3705NPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 58W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI3803

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 63W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI3803PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 63W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI510ATU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 2.8A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 37W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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IRLI520G

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 37W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI520GPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 37W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI520N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI520NPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI530G

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 42W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI530GPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 42W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI530N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 41W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI530NPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 41W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI540G

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI540GPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI540N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 54W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI540NPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 54W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRLI610ATU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 33W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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IRLI620G

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI620GPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI630G

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.7A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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IRLI630GPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.7A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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