晶體管

型號	描述	庫存
IXFB72N55Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 258nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存3,024
IXFB80N50Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,076
IXFB82N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 82A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存3,960
IXFB82N60Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 82A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存3,580
IXFB90N85X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 850V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1785W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,840
IXFC10N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存3,400
IXFC110N10P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存2,466
IXFC12N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存6,156
IXFC13N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存4,446
IXFC14N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存5,418
IXFC14N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存7,830
IXFC15N80Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存7,398
IXFC16N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存3,276
IXFC16N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存8,532
IXFC20N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存7,920
IXFC22N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存3,672
IXFC24N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存7,254
IXFC24N50Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存2,322
IXFC26N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存2,700
IXFC26N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存2,898
IXFC30N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3820pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存5,490
IXFC36N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存5,184
IXFC40N30Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存5,544
IXFC52N30P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存2,124
IXFC60N20 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存7,578
IXFC74N20P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 37A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 107nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存7,506
IXFC80N08 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存5,454
IXFC80N085 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存3,042
IXFC80N10 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存6,282
IXFC96N15P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 48A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存3,600

IXFB72N55Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 258nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存3,024

IXFB80N50Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,076

IXFB82N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 82A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存3,960

IXFB82N60Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 82A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存3,580

IXFB90N85X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 850V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1785W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,840

IXFC10N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存3,400

IXFC110N10P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存2,466

IXFC12N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存6,156

IXFC13N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存4,446

IXFC14N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存5,418

IXFC14N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存7,830

IXFC15N80Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存7,398

IXFC16N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存3,276

IXFC16N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存8,532

IXFC20N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存7,920

IXFC22N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存3,672

IXFC24N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存7,254

IXFC24N50Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存2,322

IXFC26N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存2,700

IXFC26N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存2,898

IXFC30N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3820pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存5,490

IXFC36N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存5,184

IXFC40N30Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存5,544

IXFC52N30P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存2,124

IXFC60N20

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存7,578

IXFC74N20P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 37A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 107nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存7,506

IXFC80N08

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存5,454

IXFC80N085

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存3,042

IXFC80N10

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存6,282

IXFC96N15P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 48A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存3,600

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