晶體管

型號	描述	庫存
IXFK33N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 416W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,246
IXFK34N80 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存2,304
IXFK35N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 416W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,596
IXFK360N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 525nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 33000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,820
IXFK360N15T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 360A TO264 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 715nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1670W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存10,464
IXFK36N60 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 325nC @ 25V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,210
IXFK36N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 650W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存2,196
IXFK38N80Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,598
IXFK400N15X3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 150V 400A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 365nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23.7nF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,744
IXFK40N90P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,392
IXFK420N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 420A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 670nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1670W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,094
IXFK44N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,984
IXFK44N50F IXYS-RF	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 44A TO264 制造商: IXYS-RF 系列: HiPerRF™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存3,598
IXFK44N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 658W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,310
IXFK44N50Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,986
IXFK44N55Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,064
IXFK44N60 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,876
IXFK44N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 198nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存13,080
IXFK44N80Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9840pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,158
IXFK48N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,698
IXFK48N50Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,136
IXFK48N55 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,886
IXFK48N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8860pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,732
IXFK48N60Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1000W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,392
IXFK50N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,886
IXFK50N85X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 850V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,230
IXFK520N075T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 520A TO-264 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 520A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,760
IXFK52N100X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 1KV 52A ULTRA JCT TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 245nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6725pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,334
IXFK52N30Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,730
IXFK52N60Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 52A TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 115mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 198nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK) 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,632

IXFK33N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 416W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,246

IXFK34N80

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存2,304

IXFK35N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 416W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,596

IXFK360N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 525nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 33000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,820

IXFK360N15T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 360A TO264

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 715nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1670W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存10,464

IXFK36N60

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 325nC @ 25V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,210

IXFK36N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 36A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 650W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存2,196

IXFK38N80Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,598

IXFK400N15X3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 150V 400A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 365nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23.7nF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,744

IXFK40N90P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,392

IXFK420N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 420A TO-264

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 420A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 670nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1670W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,094

IXFK44N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,984

IXFK44N50F

IXYS-RF

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 44A TO264

制造商: IXYS-RF
系列: HiPerRF™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存3,598

IXFK44N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 44A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 658W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,310

IXFK44N50Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,986

IXFK44N55Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,064

IXFK44N60

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,876

IXFK44N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 198nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存13,080

IXFK44N80Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9840pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,158

IXFK48N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,698

IXFK48N50Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 48A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,136

IXFK48N55

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,886

IXFK48N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 48A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8860pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,732

IXFK48N60Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 48A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1000W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,392

IXFK50N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,886

IXFK50N85X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 850V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,230

IXFK520N075T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 520A TO-264

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 520A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,760

IXFK52N100X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 1KV 52A ULTRA JCT TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 245nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6725pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,334

IXFK52N30Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,730

IXFK52N60Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 52A TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 115mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 198nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,632

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