晶體管

型號	描述	庫存
IXTA36P15P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,802
IXTA380N036T4-7 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: TrenchT4™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 36V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 380A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存5,616
IXTA38N15T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,232
IXTA3N100D2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,166
IXTA3N100D2HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263HV 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,370
IXTA3N100P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarVHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,930
IXTA3N110 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,006
IXTA3N120 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,856
IXTA3N120HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,748
IXTA3N120-TRL IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,868
IXTA3N150HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1375pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,074
IXTA3N50D2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1070pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,992
IXTA3N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 409pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,580
IXTA3N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 411pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,150
IXTA42N25P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 42A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,804
IXTA44N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 44A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,508
IXTA44N30T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 44A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,460
IXTA44P15T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 298W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,508
IXTA44P15T-TRL IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 298W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,498
IXTA460P2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 24A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,210
IXTA48N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 制造商: IXYS 系列: Trench™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3090pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,038
IXTA48P05T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 48A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,320
IXTA4N150HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1576pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 280W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,144
IXTA4N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,472
IXTA4N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,304
IXTA4N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,608
IXTA50N20P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 50A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,858
IXTA50N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,196
IXTA52P10P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 52A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2845pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,308
IXTA54N30T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 54A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,454

IXTA36P15P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 36A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,802

IXTA380N036T4-7

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: TrenchT4™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 36V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 380A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存5,616

IXTA38N15T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 38A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,232

IXTA3N100D2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,166

IXTA3N100D2HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263HV
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,370

IXTA3N100P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarVHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,930

IXTA3N110

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,006

IXTA3N120

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,856

IXTA3N120HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,748

IXTA3N120-TRL

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,868

IXTA3N150HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1375pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,074

IXTA3N50D2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1070pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,992

IXTA3N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 409pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,580

IXTA3N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 411pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,150

IXTA42N25P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,804

IXTA44N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 44A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,508

IXTA44N30T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 44A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,460

IXTA44P15T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 44A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 298W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,508

IXTA44P15T-TRL

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 44A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 298W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,498

IXTA460P2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,210

IXTA48N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 48A TO-263

制造商: IXYS
系列: Trench™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3090pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,038

IXTA48P05T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 48A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,320

IXTA4N150HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1576pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,144

IXTA4N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,472

IXTA4N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,304

IXTA4N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,608

IXTA50N20P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 50A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,858

IXTA50N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 50A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,196

IXTA52P10P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 52A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2845pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,308

IXTA54N30T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 54A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,454

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