晶體管

型號	描述	庫存
JAN2N6849 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/564 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AF Metal Can	庫存8,892
JAN2N6849U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 18-LCC 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/564 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49) 包裝/箱: 18-CLCC	庫存3,402
JAN2N6898 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3 包裝/箱: TO-204AA, TO-3	庫存6,282
JAN2N6901 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/570 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.07A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 8.33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39) 包裝/箱: TO-205AF Metal Can	庫存2,880
JAN2N7224 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-254AA 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存6,516
JAN2N7224U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-267AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存8,082
JAN2N7225 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-254AA 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存2,196
JAN2N7225U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-267AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存2,232
JAN2N7227 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-254AA 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存4,626
JAN2N7227U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-267AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存7,902
JAN2N7228 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-254AA 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存5,094
JAN2N7228U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-267AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存5,382
JAN2N7236 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/595 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存4,374
JAN2N7236U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/595 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存3,834
JANSF2N7383 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 P CHANNEL MOSFET TO-257 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,240
JANSR2N7261U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 N CHANNEL MOSFET LCC-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/601 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 8A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49) 包裝/箱: 18-CLCC	庫存6,408
JANSR2N7262U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 N CHANNEL MOSFET LCC-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/601 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 364mOhm @ 5.5A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49) 包裝/箱: 18-CLCC	庫存5,292
JANSR2N7268U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 N CHANNEL MOSFET SMD-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/603 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 34A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U1 (SMD-1) 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存3,132
JANSR2N7269 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 N CHANNEL MOSFET TO-254 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/603 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存4,194
JANSR2N7269U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 N CHANNEL MOSFET SMD-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/603 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U1 (SMD-1) 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存3,024
JANSR2N7380 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/614 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 14.4A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-257 包裝/箱: TO-257-3	庫存5,976
JANSR2N7381 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/614 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 9.4A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-257 包裝/箱: TO-257-3	庫存2,358
JANSR2N7389 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 P CHANNEL MOSFET TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/630 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39) 包裝/箱: TO-205AF Metal Can	庫存7,740
JANSR2N7389U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 P CHANNEL MOSFET LCC-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/630 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 12V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49) 包裝/箱: 18-CLCC	庫存6,516
JANTX2N6756 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/542 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-204AA 包裝/箱: TO-204AA, TO-3	庫存2,502
JANTX2N6758 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/542 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3) 包裝/箱: TO-204AA, TO-3	庫存221
JANTX2N6760 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/542 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3) 包裝/箱: TO-204AA, TO-3	庫存4,320
JANTX2N6762 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/542 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3) 包裝/箱: TO-204AA, TO-3	庫存5,706
JANTX2N6764 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/543 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3 包裝/箱: TO-204AE	庫存277
JANTX2N6764T1 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-254AA 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/543 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存4,338

JAN2N6849

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/564
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AF Metal Can

庫存8,892

JAN2N6849U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 18-LCC

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/564
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49)
包裝/箱: 18-CLCC

庫存3,402

JAN2N6898

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3
包裝/箱: TO-204AA, TO-3

庫存6,282

JAN2N6901

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/570
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.07A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 8.33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39)
包裝/箱: TO-205AF Metal Can

庫存2,880

JAN2N7224

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-254AA

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存6,516

JAN2N7224U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-267AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存8,082

JAN2N7225

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-254AA

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存2,196

JAN2N7225U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-267AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存2,232

JAN2N7227

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-254AA

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存4,626

JAN2N7227U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-267AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存7,902

JAN2N7228

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-254AA

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存5,094

JAN2N7228U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-267AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存5,382

JAN2N7236

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/595
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存4,374

JAN2N7236U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/595
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存3,834

JANSF2N7383

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

P CHANNEL MOSFET TO-257

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,240

JANSR2N7261U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

N CHANNEL MOSFET LCC-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/601
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 8A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49)
包裝/箱: 18-CLCC

庫存6,408

JANSR2N7262U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

N CHANNEL MOSFET LCC-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/601
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 364mOhm @ 5.5A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49)
包裝/箱: 18-CLCC

庫存5,292

JANSR2N7268U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

N CHANNEL MOSFET SMD-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/603
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 34A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U1 (SMD-1)
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存3,132

JANSR2N7269

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

N CHANNEL MOSFET TO-254

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/603
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存4,194

JANSR2N7269U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

N CHANNEL MOSFET SMD-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/603
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U1 (SMD-1)
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存3,024

JANSR2N7380

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/614
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 14.4A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-257
包裝/箱: TO-257-3

庫存5,976

JANSR2N7381

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/614
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 9.4A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-257
包裝/箱: TO-257-3

庫存2,358

JANSR2N7389

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

P CHANNEL MOSFET TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/630
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39)
包裝/箱: TO-205AF Metal Can

庫存7,740

JANSR2N7389U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

P CHANNEL MOSFET LCC-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/630
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 12V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49)
包裝/箱: 18-CLCC

庫存6,516

JANTX2N6756

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AA TO-3

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/542
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-204AA
包裝/箱: TO-204AA, TO-3

庫存2,502

JANTX2N6758

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AA TO-3

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/542
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)
包裝/箱: TO-204AA, TO-3

庫存221

JANTX2N6760

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AA TO-3

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/542
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)
包裝/箱: TO-204AA, TO-3

庫存4,320

JANTX2N6762

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AA TO-3

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/542
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)
包裝/箱: TO-204AA, TO-3

庫存5,706

JANTX2N6764

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/543
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3
包裝/箱: TO-204AE

庫存277

JANTX2N6764T1

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-254AA

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/543
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存4,338

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