晶體管

型號	描述	庫存
JANTXV2N6802U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/557 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49) 包裝/箱: 18-CLCC	庫存6,102
JANTXV2N6804 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 11A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/562 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3) 包裝/箱: TO-204AA, TO-3	庫存4,086
JANTXV2N6849 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 6.5A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/564 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39) 包裝/箱: TO-205AF Metal Can	庫存7,290
JANTXV2N6849U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 6.5A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/564 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49) 包裝/箱: 18-CLCC	庫存7,704
JANTXV2N6898 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3 包裝/箱: TO-204AA, TO-3	庫存3,996
JANTXV2N6901 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.69A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/570 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.07A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 8.33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39) 包裝/箱: TO-205AF Metal Can	庫存6,282
JANTXV2N7224 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 34A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存275
JANTXV2N7224U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 34A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存3,418
JANTXV2N7225 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存3,955
JANTXV2N7225U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存6,768
JANTXV2N7227 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存2,178
JANTXV2N7227U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存6,570
JANTXV2N7228 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存3,852
JANTXV2N7228U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/592 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存8,568
JANTXV2N7236 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 18A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/595 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-254AA 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	庫存4,752
JANTXV2N7236U Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 18A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/595 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-267AB 包裝/箱: TO-267AB	庫存5,922
KGF12N05-400-SP Renesas Electronics America Inc.	晶體管-FET，MOSFET-單 IC MOSFET N-CH 制造商: Renesas Electronics America Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 5.5V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 3.5V Vgs（最大）: ±5.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 5.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.47x1.47) 包裝/箱: 6-SMD, No Lead	庫存4,482
LND01K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 9V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: +0.6V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 5V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -25°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-5 包裝/箱: SC-74A, SOT-753	庫存2,934
LND150K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存155,172
LND150N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存21,192
LND150N3-G-P002 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存8,820
LND150N3-G-P003 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存5,256
LND150N3-G-P013 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存6,354
LND150N3-G-P014 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存2,862
LND150N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89-3 包裝/箱: TO-243AA	庫存31,872
LND250K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存46,038
LP0701LG-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 16.5V 0.7A 8SOIC 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16.5V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,376
LP0701N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16.5V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存12,798
LSIC1MO120E0080 Littelfuse	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3 制造商: Littelfuse Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 20V Vgs（最大）: +22V, -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1825pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 179W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,852
LSIC1MO120E0120 Littelfuse	晶體管-FET，MOSFET-單 SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3 制造商: Littelfuse Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 20V Vgs（最大）: +22V, -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1125pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存17,532

JANTXV2N6802U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/557
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49)
包裝/箱: 18-CLCC

庫存6,102

JANTXV2N6804

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 11A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/562
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)
包裝/箱: TO-204AA, TO-3

庫存4,086

JANTXV2N6849

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 6.5A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/564
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39)
包裝/箱: TO-205AF Metal Can

庫存7,290

JANTXV2N6849U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 6.5A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/564
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 18-ULCC (9.14x7.49)
包裝/箱: 18-CLCC

庫存7,704

JANTXV2N6898

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3
包裝/箱: TO-204AA, TO-3

庫存3,996

JANTXV2N6901

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.69A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/570
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.07A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 8.33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39)
包裝/箱: TO-205AF Metal Can

庫存6,282

JANTXV2N7224

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 34A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存275

JANTXV2N7224U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 34A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存3,418

JANTXV2N7225

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存3,955

JANTXV2N7225U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存6,768

JANTXV2N7227

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存2,178

JANTXV2N7227U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存6,570

JANTXV2N7228

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存3,852

JANTXV2N7228U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/592
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存8,568

JANTXV2N7236

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 18A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/595
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-254AA
包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

庫存4,752

JANTXV2N7236U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 18A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/595
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-267AB
包裝/箱: TO-267AB

庫存5,922

KGF12N05-400-SP

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-FET，MOSFET-單

IC MOSFET N-CH

制造商: Renesas Electronics America Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 5.5V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 3.5V
Vgs（最大）: ±5.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 5.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.47x1.47)
包裝/箱: 6-SMD, No Lead

庫存4,482

LND01K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 9V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: +0.6V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 5V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -25°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-5
包裝/箱: SC-74A, SOT-753

庫存2,934

LND150K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存155,172

LND150N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存21,192

LND150N3-G-P002

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存8,820

LND150N3-G-P003

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存5,256

LND150N3-G-P013

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存6,354

LND150N3-G-P014

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存2,862

LND150N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89-3
包裝/箱: TO-243AA

庫存31,872

LND250K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存46,038

LP0701LG-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 16.5V 0.7A 8SOIC

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16.5V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,376

LP0701N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16.5V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存12,798

LSIC1MO120E0080

Littelfuse

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

制造商: Littelfuse Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 20V
Vgs（最大）: +22V, -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1825pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 179W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,852

LSIC1MO120E0120

Littelfuse

晶體管-FET，MOSFET-單

SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

制造商: Littelfuse Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 20V
Vgs（最大）: +22V, -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1125pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存17,532

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