晶體管

型號	描述	庫存
2N2905A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存8,046
2N2905A Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存78,270
2N2905AL Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存8,784
2N2906 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,284
2N2906 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,698
2N2906A Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存5,220
2N2906A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,592
2N2906A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存6,732
2N2906AL Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存6,588
2N2906AUA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 4-SMD	庫存5,040
2N2906AUB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存3,654
2N2907 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,860
2N2907 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,178
2N2907 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,068
2N2907A Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO18-2 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存7,884
2N2907A STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存5,958
2N2907A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,682
2N2907A MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,316
2N2907A Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存204,918
2N2907A DL MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS PNP MED PWR GP DUAL 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,010
2N2907AE4 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存5,940
2N2907AL Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,790
2N2907AUA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: -	庫存2,520
2N2907AUA TT Electronics/Optek Technology	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A SMD 制造商: TT Electronics/Optek Technology 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-CLCC 供應商設備包裝: Ceramic SMD	庫存2,916
2N2907AUB TT Electronics/Optek Technology	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A SMD 制造商: TT Electronics/Optek Technology 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 10V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-LCC 供應商設備包裝: Ceramic SMD	庫存11,352
2N2907AUB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存13,704
2N2907A W/GOLD Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,070
2N2924 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存16,908
2N2925 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,600
2N2944AUB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 10V 0.1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 500mV 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存3,816

2N2905A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存8,046

2N2905A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存78,270

2N2905AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存8,784

2N2906

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,284

2N2906

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,698

2N2906A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存5,220

2N2906A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,592

2N2906A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存6,732

2N2906AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存6,588

2N2906AUA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 4-SMD

庫存5,040

2N2906AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存3,654

2N2907

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.6A TO-18

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,860

2N2907

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,178

2N2907

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,068

2N2907A

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO18-2

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存7,884

2N2907A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-18

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存5,958

2N2907A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,682

2N2907A

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,316

2N2907A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存204,918

2N2907A DL

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS PNP MED PWR GP DUAL

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,010

2N2907AE4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存5,940

2N2907AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,790

2N2907AUA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: -

庫存2,520

2N2907AUA

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A SMD

制造商: TT Electronics/Optek Technology
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-CLCC
供應商設備包裝: Ceramic SMD

庫存2,916

2N2907AUB

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A SMD

制造商: TT Electronics/Optek Technology
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 10V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-LCC
供應商設備包裝: Ceramic SMD

庫存11,352

2N2907AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存13,704

2N2907A W/GOLD

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,070

2N2924

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存16,908

2N2925

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,600

2N2944AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 10V 0.1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 500mV
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存3,816

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