晶體管

2N1717

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

2N1717S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

2N1724A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER BJT

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 2A, 15V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Stud Mount
• 包裝/箱: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
• 供應商設備包裝: TO-61

加入購物車更新到購物車

2N1893

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A TO-39

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N1893S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

加入購物車更新到購物車

2N2102

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 65V 1A TO-39

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2102

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 65V 1A TO-39

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2102S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

2N2218

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.8A TO39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

加入購物車更新到購物車

2N2218

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2218A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

2N2218A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.8A TO-39

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2218AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

加入購物車更新到購物車

2N2219

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.8A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

加入購物車更新到購物車

2N2219

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.8A TO-39

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2219A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.8A TO-39

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2219A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MED PWR SS AMP TRANSISTOR

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2219A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.8A TO-39

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

加入購物車更新到購物車

2N2219A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

加入購物車更新到購物車

2N2219AE4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.8A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

加入購物車更新到購物車

2N2219AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

加入購物車更新到購物車

2N2221

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

加入購物車更新到購物車

2N2221

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

加入購物車更新到購物車

2N2221A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1.8W
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

加入購物車更新到購物車

2N2221A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

加入購物車更新到購物車

2N2221AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

加入購物車更新到購物車

2N2221AUA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD
• 供應商設備包裝: 4-SMD

加入購物車更新到購物車

2N2221AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 3-SMD

加入購物車更新到購物車

2N2222

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.6A TO-18

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

加入購物車更新到購物車

2N2222

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MED GEN PUR AMP TO-18

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

加入購物車更新到購物車