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晶體管

記錄 64,903
頁面 1584/2164
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型號
描述
庫存
數量
NTB75N06LT4G
NTB75N06LT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 75A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 92nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4370pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,784
NTB75N06T4G
NTB75N06T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 75A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4510pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,156
NTB85N03
NTB85N03

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 28V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 85A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2150pF @ 24V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,454
NTB85N03G
NTB85N03G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 28V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 85A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2150pF @ 24V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,938
NTB85N03T4
NTB85N03T4

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 28V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 85A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2150pF @ 24V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,192
NTB85N03T4G
NTB85N03T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 28V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 85A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2150pF @ 24V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,996
NTB90N02
NTB90N02

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 90A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2120pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,328
NTB90N02G
NTB90N02G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 90A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2120pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,492
NTB90N02T4
NTB90N02T4

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 90A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2120pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,052
NTB90N02T4G
NTB90N02T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 90A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2120pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,214
NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 110A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6655pF @ 30V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 176W (Tj)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK-3 (TO-263-3)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,186
NTBV25P06T4G
NTBV25P06T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK-3
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,790
NTBV30N20T4G
NTBV30N20T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,754
NTBV45N06LT4G
NTBV45N06LT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 45A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 32nC @ 5V
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,146
NTBV45N06T4G
NTBV45N06T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 45A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1725pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,898
NTBV5605T4G
NTBV5605T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 18.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 140mOhm @ 8.5A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 22nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1190pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 88W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,718
NTBV75N06T4G
NTBV75N06T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 75A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4510pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,184
NTD110N02R
NTD110N02R

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12.5A (Ta), 110A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3440pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,384
NTD110N02R-001
NTD110N02R-001

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12.5A (Ta), 110A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3440pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存8,406
NTD110N02R-001G
NTD110N02R-001G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12.5A (Ta), 110A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3440pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存5,238
NTD110N02RG
NTD110N02RG

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12.5A (Ta), 110A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3440pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存4,500
NTD110N02RST4G
NTD110N02RST4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 100A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,976
NTD110N02RT4
NTD110N02RT4

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12.5A (Ta), 110A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3440pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,866
NTD110N02RT4G
NTD110N02RT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12.5A (Ta), 110A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3440pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,652
NTD12N10-1G
NTD12N10-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 165mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存2,484
NTD12N10G
NTD12N10G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 165mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,902
NTD12N10T4
NTD12N10T4

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 165mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,670
NTD12N10T4G
NTD12N10T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 165mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,316
NTD14N03R
NTD14N03R

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.8nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 115pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,412
NTD14N03R-001
NTD14N03R-001

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.8nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 115pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存3,024