晶體管

型號	描述	庫存
NTD32N06LG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 32A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,698
NTD32N06LT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 32A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,780
NTD32N06T4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 32A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1725pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,754
NTD3808N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 12A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,374
NTD3808N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 12A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,290
NTD3808NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 12A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,892
NTD3813N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 963pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,284
NTD3813N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 963pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,812
NTD3813NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 963pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,524
NTD3817N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 702pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,920
NTD3817N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 702pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,592
NTD3817NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 702pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,214
NTD40N03R-001 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 45A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,988
NTD40N03R-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,830
NTD40N03RG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,020
NTD40N03RT4 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,698
NTD40N03RT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,902
NTD4302 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,634
NTD4302-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,562
NTD4302G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,066
NTD4302T4 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,004
NTD4302T4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,544
NTD4804N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,448
NTD4804N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,924
NTD4804NA-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,320
NTD4804NA-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,076
NTD4804NAT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,140
NTD4804NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,020
NTD4805N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2865pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.41W (Ta), 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,330
NTD4805N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2865pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.41W (Ta), 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,920

NTD32N06LG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,698

NTD32N06LT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,780

NTD32N06T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1725pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,754

NTD3808N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,374

NTD3808N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,290

NTD3808NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 12A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,892

NTD3813N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 963pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,284

NTD3813N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 963pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,812

NTD3813NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 963pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,524

NTD3817N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 702pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,920

NTD3817N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 702pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,592

NTD3817NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 702pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,214

NTD40N03R-001

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 45A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,988

NTD40N03R-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,830

NTD40N03RG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,020

NTD40N03RT4

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,698

NTD40N03RT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.78nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,902

NTD4302

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,634

NTD4302-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,562

NTD4302G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,066

NTD4302T4

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,004

NTD4302T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.04W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,544

NTD4804N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,448

NTD4804N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,924

NTD4804NA-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,320

NTD4804NA-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,076

NTD4804NAT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,140

NTD4804NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4490pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.43W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,020

NTD4805N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2865pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.41W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,330

NTD4805N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2865pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.41W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,920

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