晶體管

型號	描述	庫存
NTD4805NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2865pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.41W (Ta), 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,592
NTD4806N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存6,462
NTD4806N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,790
NTD4806NA-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存4,392
NTD4806NA-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存6,606
NTD4806NAT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,172
NTD4806NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,478
NTD4808N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1538pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存40,794
NTD4808N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1538pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,598
NTD4808NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1538pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,320
NTD4809N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,924
NTD4809N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,220
NTD4809NA-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,148
NTD4809NA-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存6,408
NTD4809NAT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,316
NTD4809NH-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存4,068
NTD4809NH-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,418
NTD4809NHT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,516
NTD4809NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存24,828
NTD4810N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,874
NTD4810N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,970
NTD4810NH-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.28W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,320
NTD4810NH-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.28W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存4,644
NTD4810NHT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.28W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,148
NTD4810NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,446
NTD4813N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,644
NTD4813N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,380
NTD4813NH-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,798
NTD4813NH-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,024
NTD4813NHT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,250

NTD4805NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2865pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.41W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,592

NTD4806N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存6,462

NTD4806N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,790

NTD4806NA-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存4,392

NTD4806NA-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存6,606

NTD4806NAT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,172

NTD4806NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2142pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,478

NTD4808N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1538pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存40,794

NTD4808N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1538pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,598

NTD4808NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1538pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,320

NTD4809N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,924

NTD4809N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,220

NTD4809NA-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,148

NTD4809NA-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存6,408

NTD4809NAT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,316

NTD4809NH-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存4,068

NTD4809NH-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,418

NTD4809NHT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,516

NTD4809NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存24,828

NTD4810N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,874

NTD4810N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,970

NTD4810NH-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.28W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,320

NTD4810NH-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.28W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存4,644

NTD4810NHT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.28W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,148

NTD4810NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,446

NTD4813N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,644

NTD4813N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,380

NTD4813NH-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,798

NTD4813NH-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,024

NTD4813NHT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,250

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