晶體管

型號	描述	庫存
2N3439 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 2mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 15MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,516
2N3439L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 350V 1A TO-5 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 2µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存7,020
2N3439U4 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 2µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: U4	庫存6,768
2N3439UA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 350V 1A UA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 2µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: -	庫存4,662
2N3440 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A TO-39 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 15MHz 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存4,932
2N3440 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER 350V 10W TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存2,502
2N3440 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 2µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存16,776
2N3440 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: - 頻率-過渡: 15MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存52,740
2N3440L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 1A TO-5 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 2µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存4,212
2N3440U4 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 POWER BJT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 2µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 功率-最大: 5W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: U4	庫存7,056
2N3440UA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,012
2N3442 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 10A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 200mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3A, 4V 功率-最大: 117W 頻率-過渡: 80MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存7,740
2N3442 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,520
2N3442 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 10A TO-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 200mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3A, 4V 功率-最大: 117W 頻率-過渡: 80kHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存6,072
2N3442G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 10A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 200mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3A, 4V 功率-最大: 117W 頻率-過渡: 80kHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存7,572
2N3467 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,060
2N3467 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 1A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 1V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 175MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存11,472
2N3467L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,744
2N3468 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存251
2N3468L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,938
2N3469 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,834
2N3485A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-46 (TO-206AB)	庫存7,110
2N3486 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-46	庫存4,410
2N3486A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-46 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-46-3	庫存3,366
2N3498 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存8,010
2N3498L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,932
2N3499 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存7,578
2N3499L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 0.5A TO5 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存4,734
2N3500 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存7,416
2N3500L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,644

2N3439

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 2mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 15MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,516

2N3439L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 1A TO-5

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 2µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存7,020

2N3439U4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 2µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: U4

庫存6,768

2N3439UA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 1A UA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 2µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: -

庫存4,662

2N3440

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A TO-39

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 15MHz
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存4,932

2N3440

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER 350V 10W TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存2,502

2N3440

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 2µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存16,776

2N3440

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: -
頻率-過渡: 15MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存52,740

2N3440L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 1A TO-5

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 2µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存4,212

2N3440U4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER BJT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 2µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
功率-最大: 5W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: U4

庫存7,056

2N3440UA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,012

2N3442

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 10A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 200mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3A, 4V
功率-最大: 117W
頻率-過渡: 80MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存7,740

2N3442

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,520

2N3442

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 10A TO-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 200mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3A, 4V
功率-最大: 117W
頻率-過渡: 80kHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存6,072

2N3442G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 10A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 200mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3A, 4V
功率-最大: 117W
頻率-過渡: 80kHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存7,572

2N3467

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,060

2N3467

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 1V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 175MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存11,472

2N3467L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,744

2N3468

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存251

2N3468L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,938

2N3469

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,834

2N3485A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-46 (TO-206AB)

庫存7,110

2N3486

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-46

庫存4,410

2N3486A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-46

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-46-3

庫存3,366

2N3498

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 0.5A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存8,010

2N3498L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,932

2N3499

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 0.5A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存7,578

2N3499L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 0.5A TO5

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存4,734

2N3500

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存7,416

2N3500L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,644

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