晶體管

型號	描述	庫存
2N3501 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,262
2N3501 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存5,742
2N3501L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.3A TO-5 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存3,276
2N3501UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.3A 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/366 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存6,426
2N3506A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,412
2N3506AL Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,616
2N3506L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,978
2N3507 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,166
2N3507AL Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,508
2N3507AU4 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/349 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 1.5A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: U4	庫存6,264
2N3507L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,660
2N3507U4 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,048
2N3563 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR NPN TO-106 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V 功率-最大: - 頻率-過渡: 600MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-106-3 Domed 供應商設備包裝: TO-106	庫存7,740
2N3564 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR NPN TO-106 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 15mA, 10V 功率-最大: - 頻率-過渡: 400MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-106-3 Domed 供應商設備包裝: TO-106	庫存7,542
2N3565 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR NPN TO-106 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,058
2N3583 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 175V 1A TO-66 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 125mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 10V 功率-最大: 35W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2 供應商設備包裝: TO-66	庫存16,404
2N3584 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,950
2N3584 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 2A TO-66 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 125mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 10V 功率-最大: 35W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2 供應商設備包裝: TO-66	庫存8,220
2N3585 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,344
2N3585 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 300V 2A TO-66 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 125mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 10V 功率-最大: 35W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2 供應商設備包裝: TO-66	庫存8,874
2N3634 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,398
2N3634L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 140V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存6,732
2N3634UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 140V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 3-SMD	庫存4,446
2N3635 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 140V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存4,842
2N3635L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 140V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存2,700
2N3635UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 140V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 3-SMD	庫存6,804
2N3636 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 175V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存4,698
2N3636L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 175V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存8,784
2N3636UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 175V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 3-SMD	庫存6,516
2N3637 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,834

2N3501

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,262

2N3501

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存5,742

2N3501L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.3A TO-5

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存3,276

2N3501UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.3A

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/366
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存6,426

2N3506A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,412

2N3506AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,616

2N3506L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,978

2N3507

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,166

2N3507AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,508

2N3507AU4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/349
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 1.5A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: U4

庫存6,264

2N3507L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,660

2N3507U4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,048

2N3563

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V
功率-最大: -
頻率-過渡: 600MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-106-3 Domed
供應商設備包裝: TO-106

庫存7,740

2N3564

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 15mA, 10V
功率-最大: -
頻率-過渡: 400MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-106-3 Domed
供應商設備包裝: TO-106

庫存7,542

2N3565

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,058

2N3583

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 175V 1A TO-66

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 125mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 10V
功率-最大: 35W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝: TO-66

庫存16,404

2N3584

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,950

2N3584

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 2A TO-66

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 10V
功率-最大: 35W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝: TO-66

庫存8,220

2N3585

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,344

2N3585

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 2A TO-66

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 10V
功率-最大: 35W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝: TO-66

庫存8,874

2N3634

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,398

2N3634L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存6,732

2N3634UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 3-SMD

庫存4,446

2N3635

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存4,842

2N3635L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存2,700

2N3635UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 3-SMD

庫存6,804

2N3636

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 175V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存4,698

2N3636L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 175V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存8,784

2N3636UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 175V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 175V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 3-SMD

庫存6,516

2N3637

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,834

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