晶體管

PMN48XP,125

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN48XPAX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN49EN,135

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN49EN,165

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN50EPEX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMN50EPE/SOT457/SC-74

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 793pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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PMN50UPE,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN50XP,165

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.2W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN52XPX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 763pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN55ENEH

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMN55ENE/SOT457/SC-74

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 646pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN55ENEX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 646pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN55LN,135

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±15V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN70EPEX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 570mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN70XPE,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 602pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN70XPEAX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 602pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN70XPX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMN80XP,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 385mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-TSOP
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457

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PMPB100ENEAX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB100ENEX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB100XPEAX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: +8V, -10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 388pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 550mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-DFN2020MD (2x2)
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB10XNE,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2175pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB10XNEAX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 0.9V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.175nF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB10XNEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V SOT1220

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2175pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB11EN,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB12UN,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 886pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 6-DFN2020MD (2x2)
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB12UNEAX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 0.9V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.22nF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB12UNEX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1220pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 470mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB13XNE,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2195pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB14XPX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMPB14XP/SOT1220/SOT1220

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB15XN,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 7.3A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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PMPB15XP,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2875pF @ 6V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN2020MD-6
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

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