晶體管

型號	描述	庫存
RJK0301DPB-WS#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存3,888
RJK0305DPB-02#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存44,142
RJK0305DPB-WS#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存4,896
RJK0328DPB-01#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6380pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存4,068
RJK0330DPB-01#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存3,474
RJK0332DPB-01#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存2,790
RJK0346DPA-01#J0B Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 65A WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7650pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存3,744
RJK0349DSP-00#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,982
RJK0349DSP-01#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,572
RJK0353DPA-01#J0B Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存6,642
RJK0353DPA-WS#J0B Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: WPAK(3F) (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,708
RJK0354DSP-00#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存20,268
RJK0355DSP-00#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,230
RJK0355DSP-01#J0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,950
RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK (3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存8,046
RJK0393DPA-00#J5A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3270pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存7,272
RJK03C1DPB-00#J5 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存8,892
RJK03M1DPA-00#J5A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4720pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,014
RJK03M2DPA-00#J5A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 45A WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad	庫存5,526
RJK03M3DPA-00#J5A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3010pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad	庫存3,924
RJK03M4DPA-00#J5A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad	庫存3,474
RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A HWSON 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 15W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存4,446
RJK03M5DPA-00#J5A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad	庫存3,562
RJK0451DPB-00#J5 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2010pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存9,613
RJK0452DPB-00#J5 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4030pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存5,544
RJK0454DPB-00#J5 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存6,498
RJK0455DPB-00#J5 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存4,032
RJK0456DPB-00#J5 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存5,148
RJK0601DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 110A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 141nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,614
RJK0602DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6450pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,436

RJK0301DPB-WS#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存3,888

RJK0305DPB-02#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存44,142

RJK0305DPB-WS#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存4,896

RJK0328DPB-01#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6380pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存4,068

RJK0330DPB-01#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存3,474

RJK0332DPB-01#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存2,790

RJK0346DPA-01#J0B

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7650pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存3,744

RJK0349DSP-00#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,982

RJK0349DSP-01#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,572

RJK0353DPA-01#J0B

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存6,642

RJK0353DPA-WS#J0B

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: WPAK(3F) (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,708

RJK0354DSP-00#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存20,268

RJK0355DSP-00#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,230

RJK0355DSP-01#J0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,950

RJK0391DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK (3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存8,046

RJK0393DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3270pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存7,272

RJK03C1DPB-00#J5

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存8,892

RJK03M1DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4720pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,014

RJK03M2DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad

庫存5,526

RJK03M3DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3010pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad

庫存3,924

RJK03M4DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad

庫存3,474

RJK03M5DNS-00#J5

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 15W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存4,446

RJK03M5DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-WFDFN Exposed Pad

庫存3,562

RJK0451DPB-00#J5

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2010pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存9,613

RJK0452DPB-00#J5

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4030pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存5,544

RJK0454DPB-00#J5

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存6,498

RJK0455DPB-00#J5

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存4,032

RJK0456DPB-00#J5

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存5,148

RJK0601DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 110A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,614

RJK0602DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6450pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,436

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