晶體管

型號	描述	庫存
2N4124TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,268
2N4124TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,258
2N4124TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,862
2N4124TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,768
2N4125BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,280
2N4125_S00Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,398
2N4125TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,732
2N4125TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,694
2N4125TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,968
2N4125TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,030
2N4126 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: - 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,020
2N4126BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,672
2N4126_S00Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,010
2N4126TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,136
2N4126TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,398
2N4126TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,546
2N4126TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,290
2N4150 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,902
2N4150S Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,664
2N4208 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS ULTRA HS SAT SWITCH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 130mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 300mV 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,662
2N4209 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS ULTRA HS SAT SWITCH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存6,588
2N4209 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS PNP 6W 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,524
2N4231 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,312
2N4232A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,410
2N4233 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,924
2N4233A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,838
2N4234 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP POWER 6W TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 125mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V 功率-最大: 6W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,568
2N4234 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 1A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 125mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存7,002
2N4235 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 1A TO205AD 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 1V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-205AD	庫存3,870
2N4236 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存6,570

2N4124TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,268

2N4124TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,258

2N4124TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,862

2N4124TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,768

2N4125BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,280

2N4125_S00Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,398

2N4125TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,732

2N4125TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,694

2N4125TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,968

2N4125TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,030

2N4126

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: -
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,020

2N4126BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,672

2N4126_S00Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,010

2N4126TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,136

2N4126TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,398

2N4126TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,546

2N4126TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,290

2N4150

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,902

2N4150S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,664

2N4208

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS ULTRA HS SAT SWITCH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 130mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 300mV
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,662

2N4209

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS ULTRA HS SAT SWITCH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存6,588

2N4209

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS PNP 6W

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,524

2N4231

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,312

2N4232A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,410

2N4233

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,924

2N4233A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,838

2N4234

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER 6W TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V
功率-最大: 6W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,568

2N4234

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存7,002

2N4235

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 1A TO205AD

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 1V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-205AD

庫存3,870

2N4236

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存6,570

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