晶體管

型號	描述	庫存
2N4237 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER 5W 40V TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存2,862
2N4237 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,858
2N4237 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 3A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V 功率-最大: 6W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存7,968
2N4238 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,496
2N4240 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,984
2N4250 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR PNP TO-106 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 10mA, 5V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-106-3 Domed 供應商設備包裝: TO-106	庫存7,056
2N4250A Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR PNP TO-106 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-106-3 Domed 供應商設備包裝: TO-106	庫存6,948
2N4261 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存7,920
2N4261UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.03A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存5,580
2N4264 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 350MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,578
2N4300 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,946
2N4398 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
2N4398 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 30A TO-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6A, 30A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 15A, 2V 功率-最大: 5W 頻率-過渡: 4MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存6,714
2N4399 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,736
2N4399 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 30A TO-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6A, 30A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 15A, 2V 功率-最大: 5W 頻率-過渡: 4MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存7,596
2N4400-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN BIPOLAR TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,498
2N4400BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,244
2N4400_D81Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,544
2N4400_S00Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,346
2N4400TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,438
2N4400TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,952
2N4400TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,676
2N4400TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,086
2N4401 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存25,080
2N4401,116 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 630mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,940
2N4401-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V TO92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存234,798
2N4401BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存709,734
2N4401_D11Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,398
2N4401_D81Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,424
2N4401G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,768

2N4237

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER 5W 40V TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存2,862

2N4237

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,858

2N4237

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 700µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V
功率-最大: 6W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存7,968

2N4238

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,496

2N4240

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,984

2N4250

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR PNP TO-106

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 10mA, 5V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-106-3 Domed
供應商設備包裝: TO-106

庫存7,056

2N4250A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR PNP TO-106

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-106-3 Domed
供應商設備包裝: TO-106

庫存6,948

2N4261

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.03A TO-72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存7,920

2N4261UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.03A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存5,580

2N4264

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 350MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,578

2N4300

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,946

2N4398

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,914

2N4398

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 30A TO-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6A, 30A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 15A, 2V
功率-最大: 5W
頻率-過渡: 4MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存6,714

2N4399

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,736

2N4399

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 30A TO-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6A, 30A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 15A, 2V
功率-最大: 5W
頻率-過渡: 4MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存7,596

2N4400-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN BIPOLAR TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,498

2N4400BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,244

2N4400_D81Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,544

2N4400_S00Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,346

2N4400TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,438

2N4400TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,952

2N4400TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,676

2N4400TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,086

2N4401

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存25,080

2N4401,116

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 630mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,940

2N4401-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V TO92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存234,798

2N4401BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存709,734

2N4401_D11Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,398

2N4401_D81Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,424

2N4401G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,768

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