晶體管

型號	描述	庫存
SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存206,568
SI2323DS-T1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,088
SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存561,498
SI2323DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存121,908
SI2324A-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,976
SI2324DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存28,296
SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 530mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存580,284
SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 530mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存339,840
SI2327DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 380mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.35Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,860
SI2327DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 380mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.35Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,730
SI2328DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存223,536
SI2328DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存252,432
SI2329DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1485pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存50,736
SI2331DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,730
SI2331DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,426
SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存830,838
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存167,328
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1275pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,970
SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,270,224
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存24,852
SI2333-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1275pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,240
SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 634pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,606
SI2335DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,264
SI2335DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,736
SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,770
SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta), 2.5W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存354,444
SI2337DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta), 2.5W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存27,318
SI2338DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,492
SI2341DS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,294
SI2341DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,406

SI2323DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存206,568

SI2323DS-T1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,088

SI2323DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存561,498

SI2323DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存121,908

SI2324A-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,976

SI2324DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存28,296

SI2325DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 530mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存580,284

SI2325DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 530mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存339,840

SI2327DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 380mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.35Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,860

SI2327DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 380mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.35Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,730

SI2328DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存223,536

SI2328DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存252,432

SI2329DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1485pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存50,736

SI2331DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,730

SI2331DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,426

SI2333CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存830,838

SI2333CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存167,328

SI2333DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1275pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,970

SI2333DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,270,224

SI2333DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存24,852

SI2333-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1275pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,240

SI2334DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 634pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,606

SI2335DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,264

SI2335DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,736

SI2336DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,770

SI2337DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存354,444

SI2337DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存27,318

SI2338DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,492

SI2341DS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,294

SI2341DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,406

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