晶體管

型號	描述	庫存
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存6,192
SI1471DH-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存2,808
SI1471DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存5,004
SI1472DH-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存3,906
SI1473DH-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存5,796
SI1473DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存7,992
SI1480DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存87,510
SI1488DH-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存5,940
SI1488DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存8,496
SI1489EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-363 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存6,984
SI1499DH-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存28,020
SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363) 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存5,724
SI2101-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 P-CHANNELMOSFETSOT-323 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 8V FET功能: - 功耗（最大值）: 290mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存229,710
SI2102-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL MOSFETSOT-323 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存294,924
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存690,720
SI2300-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存175,014
SI2301A-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存201,150
SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,200,780
SI2301BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存24,960
SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存298,236
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,078,854
SI2301-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存101,652
SI2302ADS-T1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,446
SI2302ADS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,856
SI2302ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,496
SI2302A-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 237pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存29,208
SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,572,530
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存367,710
SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 20V SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存88,302
SI2302DS,215 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 650mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 830mW (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,526

SI1470DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存6,192

SI1471DH-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存2,808

SI1471DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存5,004

SI1472DH-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存3,906

SI1473DH-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存5,796

SI1473DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存7,992

SI1480DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存87,510

SI1488DH-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存5,940

SI1488DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存8,496

SI1489EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-363
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存6,984

SI1499DH-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存28,020

SI1499DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存5,724

SI2101-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

P-CHANNELMOSFETSOT-323

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 8V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存229,710

SI2102-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL MOSFETSOT-323

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存294,924

SI2300DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存690,720

SI2300-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存175,014

SI2301A-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存201,150

SI2301BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,200,780

SI2301BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存24,960

SI2301CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存298,236

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,078,854

SI2301-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存101,652

SI2302ADS-T1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,446

SI2302ADS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,856

SI2302ADS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,496

SI2302A-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 237pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存29,208

SI2302CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,572,530

SI2302CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存367,710

SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 20V SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存88,302

SI2302DS,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 650mV @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830mW (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,526

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